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机译:利用基于SACVD的40nm节点及以下晶体管的浅沟槽隔离来增强CMOSFET的性能
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, Advanced Optoelectronic Technology Center, Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan;
Compressive stress; junction leakage; shallow trench isolation (STI); subatmospheric chemical vapor deposition (SACVD);
机译:浅沟槽隔离(STI)引起的40 nm PD SOI NMOS器件的机械应力相关的扭结效应行为
机译:45 nm CMOS节点的浅沟槽隔离以及STI应力对CMOS器件性能的几何依赖性
机译:利用浅沟槽隔离作为漂移区的自对准硅化物阻挡掩模来制造高性能n沟道横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:应力控制浅沟槽隔离技术可抑制45nm节点高性能CMOSFET的新型各向异性各向异性扩散
机译:浅沟槽隔离有界单光子雪崩检测器的开发,用于声光信号增强和频率上变频。
机译:深沟槽隔离和倒金字塔结构用于通过仿真提高CMOS图像传感器中光电二极管的光学效率
机译:浅沟隔离效应对电路性能的影响