机译:45 nm CMOS节点的浅沟槽隔离以及STI应力对CMOS器件性能的几何依赖性
CMOS integrated circuits; chemical vapour deposition; isolation technology; oxygen; 45 nm; CMOS device performance; CMOS node; O3; STI liners; STI stress; gapfill performance; geometry dependence; high aspect ratio process; n-FET performance; p-FET performa;
机译:先进CMOS器件的有源几何构型和浅沟槽隔离(STI)应力的优化
机译:具有浅沟道隔离应力缓冲层的应变CMOS器件
机译:利用基于SACVD的40nm节点及以下晶体管的浅沟槽隔离来增强CMOSFET的性能
机译:应力控制浅沟槽隔离技术可抑制45nm节点高性能CMOSFET的新型各向异性各向异性扩散
机译:CMOS的浅沟槽隔离。
机译:深沟槽隔离和倒金字塔结构用于通过仿真提高CMOS图像传感器中光电二极管的光学效率
机译:采用浅沟槽隔离的深亚微米VLsI CmOs器件的闭合背栅偏置相关反向窄通道效应模型