机译:深度硅技术中高速数字和RF电路的ESD设计策略
IntegratedCircuitsLaboratory,DepartmentofElectricalEngineering,StanfordUniversity,Stanford,CA,USA;
Charged device model (CDM); RF; T-coil; co-design methodology; electrostatic discharge (ESD); field effect diode; high-speed I/O; integrated circuit reliability; semiconductor diodes; very fast transmission line pulses (VF-TLP);
机译:RF CMOS和BiCMOS硅锗技术中静电放电保护电路的自动化设计系统方法和策略
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