首页> 外文OA文献 >Optimal Physical Implementation of Radiation Tolerant High-Speed Digital Integrated Circuits in Deep-Submicron Technologies
【2h】

Optimal Physical Implementation of Radiation Tolerant High-Speed Digital Integrated Circuits in Deep-Submicron Technologies

机译:深度亚微米技术辐射耐高速数字集成电路的最佳物理实现

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

This paper presents a novel scalable physical implementation method for high-speed Triple Modular Redundant (TMR) digital integrated circuits in radiation-hard designs. The implementation uses a distributed placement strategy compared to a commonly used bulk 3-bank constraining method. TMR netlist information is used to optimally constrain the placement of both sequential cells and combinational cells. This approach significantly reduces routing complexity, net lengths and dynamic power consumption with more than 60% and 20% respectively. The technique was simulated in a 65 nm Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) technology.
机译:本文介绍了一种新型可扩展的物理实施方法,用于高速三重模块化冗余(TMR)数字集成电路中的辐射 - 硬设计。与常用的批量3岸间约束方法相比,该实施使用分布式放置策略。 TMR NetList信息用于最佳地限制顺序单元和组合单元的放置。这种方法显着降低了超过60%和20%的路由复杂性,净长度和动态功耗。该技术在65nm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中模拟。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号