机译:激光工艺接近度校正,用于改善光掩模上的临界尺寸线性
Department of Photonic Engineering, Chosun University, Gwangju, Korea;
laser h'thography; photomask fabrication; critical dimension linearity; process proximity correction;
机译:激光工艺接近度校正,用于改善光掩模上的临界尺寸线性
机译:用深紫外显微镜改善光掩模关键尺寸的线性度
机译:通过10nm节点工艺的混合光学邻近效应校正建模和收缩校正技术提高光学邻近效应校正模型的准确性
机译:通过嵌入式OPC提高在Sigma7500-II DUV激光刻录机上写入的光掩模的CD线性度和接近性能
机译:用于铬光掩模的非接触式临界尺寸计量传感器,采用低温共烧陶瓷技术实现。
机译:基于非线性滤波背景校正和归一化技术的二维凝胶电泳图像的联合预处理框架
机译:1 CD的变化校正,采用基于激光的新型工艺对光掩模进行局部透射控制
机译:由激光产生的等离子体中的四分之一临界密度附近的非线性过程产生的超快离子