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Performing optical proximity correction by incorporating critical dimension correction

机译:通过合并临界尺寸校正来执行光学邻近校正

摘要

A solution for performing an optical proximity correction (OPC) process on a layout by incorporating a critical dimension (CD) correction is provided. A method may include separating the layout into a first portion and a second portion corresponding to the two exposures; creating a model for calculating a CD correction for a site on the first portion, the model corresponding to a topography change on the site due to the double exposures; implementing an OPC iteration for the fragment based on the model to generate an OPC solution for the first portion; and combining the OPC solution for the first portion with an OPC solution for the second portion to generate an OPC solution for the layout to generate a mask for fabricating a structure using the layout.
机译:提供了一种通过结合临界尺寸(CD)校正在布局上执行光学邻近校正(OPC)工艺的解决方案。一种方法可以包括将布局分为与两个曝光相对应的第一部分和第二部分;以及创建用于计算第一部分上的场地的CD校正的模型,该模型与由于两次曝光而导致的场地地形变化相对应;基于该模型对片段进行OPC迭代,以为第一部分生成OPC解决方案;将第一部分的OPC解决方案与第二部分的OPC解决方案相结合,以生成用于布局的OPC解决方案,以生成用于使用布局来制造结构的掩模。

著录项

  • 公开/公告号US8302034B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RYAN L. BURNS;SEAN D. BURNS;

    申请/专利号US20100697556

  • 发明设计人 RYAN L. BURNS;SEAN D. BURNS;

    申请日2010-02-01

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:29:06

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