机译:20V MOSFET在10V时具有1.9mΩ的导通电阻
机译:沟槽式MOSFET:大裸片,低欧姆MOSFET降低导通电阻,栅极电荷
机译:沟道MOSFET:大晶粒,低欧姆MOSFET降低了导通电阻,栅极电荷
机译:20V功率MOSFET
机译:使用新型10mΩSiC MOSFET的超低(1.25mΩ)导通电阻900V SiC 62mm半桥功率模块
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发