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20-V MOSFET has 1.9-mΩ on-resistance at 10 V

机译:20V MOSFET在10V时具有1.9mΩ的导通电阻

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摘要

The S17137DP a 20-V MOSFET in the PowerPAK SO-8 package offers an on-resistance of 1.9 mΩ at 10 V, 2.5 mΩ at 4.5 V, and 3.9 mΩ at 2.5 V. The device suits adapter, battery, and load switch, applications for notebook computers and industrial/ general systems.rnThe MOSFET provides a ±12-V gate-source, a continuous drain current of -60 A at 25℃ and a maximum power dissipation of 104 W. The device is 100% Rg and UIS tested, and halogen free. ($0.70 ea/100,000 - available now.)
机译:S17137DP是采用PowerPAK SO-8封装的20V MOSFET,在10 V时导通电阻为1.9mΩ,在4.5 V时导通电阻为2.5mΩ,在2.5 V时导通电阻为3.9mΩ。该器件适用于适配器,电池和负载开关, MOSFET提供±12V的栅极-源极,在25℃时的连续漏极电流为-60A,最大功耗为104W。该器件的Rg和UIS为100%经测试,无卤素。 ($ 0.70 ea / 100,000-现在可用。)

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    《Electronic products》 |2009年第1期|56-56|共1页
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