机译:20V MOSFET在10V时具有1.9mΩ的导通电阻
机译:20V MOSFET的占地面积为2×2mm
机译:具有NAND闪存的低功耗3D固态驱动器的20V Boost转换器的电感器和TSV设计
机译:用于具有NAND闪存的低功耗3D固态驱动器的20V升压转换器的电感器设计
机译:4H碳化硅低压MOSFET和功率MOSFET的表征和建模
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:高频调制次级侧自供电隔离式栅极驱动器,用于SiC功率MOSFET的全范围PWM操作
机译:利用siC功率mOsFET的硬开关Boost功率处理单元的长期可靠性。