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20-V Power MOSFET

机译:20V功率MOSFET

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摘要

The SIA433EDJ 20-V p-channel power MOSFET from Vishay Intertechnology offers on-resistance values of 18 mΩ at 4.5 V, 26 mΩ at 2.5 V, and 65 mΩ at 1.8 V. The 4.5- and 2.5-V R_(DS(ON))values are claimed to be 40% and 30% lower, respectively, than the closest competing p-channel device, and are said to offer the lowest on-resistances from a 2-mm~2 footprint.
机译:Vishay Intertechnology公司的SIA433EDJ 20 V p沟道功率MOSFET在4.5 V时提供18mΩ的导通电阻值,在2.5 V时提供26mΩ的导通电阻值,在1.8 V时提供65mΩ的导通电阻值.4.5和2.5 V R_(DS(ON )值据称比最接近的竞争p沟道器件分别低40%和30%,并且据说在2mm〜2的占板面积内提供最低的导通电阻。

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  • 来源
    《Power Electronics Technology》 |2010年第1期|44|共1页
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