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机译:具有原子层外延的侧壁源极和漏极的δ掺杂FET
机译:使用/ spl delta /掺杂肖特基层降低InGaP / InGaAs掺杂沟道HFET中的源极和漏极电阻
机译:原子层外延对非合金掺-MESFET的直流和交流特性
机译:P 2 sub> S 5 sub> /(NH 4 sub>) 2 sub> S
机译:高度掺杂Si的接触电阻率:P,Si:AS和Si:P:作为源/漏极外延的EPI层
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:通过原子层δ掺杂和沉积制备具有金属超薄TiN基沟道的室温场效应晶体管
机译:固体源原子层分子束外延生长SnTe掺杂InP的表征
机译:原子层外延生长的Gaas垂直侧壁外延层的电学和结构表征