机译:使用定点迭代方法研究具有位置和电位相关的界面陷阱分布的MOSFET的阈值电压
机译:用于Omega-Gate的新型准3D接口陷获电荷降级阈值电压模型
机译:具有接口陷阱电荷的Pi-Gate(ΠG)MOSFET的新型准3D紧凑阈值电压模型
机译:用于四栅极MOSFET的新型准3D接口陷阱电荷感应阈值电压模型,包括等效的门数
机译:通过亚阈值方法研究氧化物和界面捕获电荷对γ辐照NMOSFET的阈值电压变换
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:求解非线性方程组的不动点迭代法的收敛性分析和数值研究
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响