机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响
机译:界面陷阱和边界陷阱对InGaAs MOSFET中电流-电压,电容-电压和Split-CV迁移率测量的影响
机译:AL2O3 / GEOX / GE门堆栈的界面陷阱与边框陷阱表征和这些陷阱对GE P-MOSFET移动性的影响
机译:通过门控霍尔测量获得的InGaAs反转层迁移率和界面陷阱密度
机译:边界陷阱对InGaAs量子阱MOSFET中传输曲线滞后和CV迁移率迁移率测量的影响
机译:通过硫化镉/铜铟硒(2)的电流-伏安,电容-伏安和电容瞬态测量研究铜-铟-硒(2)中的深层
机译:具有ZrO2介质的高迁移率Ge pMOSFET:后退火的影响
机译:远程库仑和界面粗糙度散射对具有高k堆叠栅极电介质的InGaAs nMOSFET电子迁移率的影响
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术