机译:栅极长度短的GaN HEMT中的自加热和等效沟道温度
Department of Electrical and Computer Engineering University of Waterloo Waterloo ON Canada;
Department of Electrical and Computer Engineering University o;
HEMTs; MODFETs; Gallium nitride; Logic gates; Temperature measurement; Resistance heating;
机译:温度对微波应用栅极长度0.15-μmGaN / SiC HEMT的直流和等效电路参数的温度影响
机译:常压AlGaN / GaN MIS-HEMTS中双栅双通道装置设计抑制了双闸双通道装置设计的短信效应
机译:AlGaN / GaN Hemts栅极漏电流模拟:闸门边缘的效果和自加热
机译:不同栅极长度的自热效应及其对AlGaN / GaN HEMT直流特性的影响的仿真
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:通过对通孔长度的调制突破了常关GaN HEMT的多台面沟道宽度限制
机译:使用栅极电阻测量表征GaN Hemts的动态自加热