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机译:AlGaN / GaN Hemts栅极漏电流模拟:闸门边缘的效果和自加热
Chengdu Univ Sch Informat Sci &
Engn Chengdu 610106 Sichuan Peoples R China;
Chengdu Univ Sch Informat Sci &
Engn Chengdu 610106 Sichuan Peoples R China;
Southwest Jiaotong Univ Sch Mech Engn Chengdu 610031 Sichuan Peoples R China;
机译:AlGaN / GaN Hemts栅极漏电流模拟:闸门边缘的效果和自加热
机译:栅极边缘对AlGaN / GaN HEMT反向漏电流的影响
机译:TCAD仿真功能可用于高级AlGaN / GaN HEMT器件的栅极泄漏电流分析
机译:栅极边缘硅化对AlGaN / GaN HEMT中栅极漏电流的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:栅极边缘对alGaN / GaN HEmT反向漏电流的影响
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制