GaN Enhancement mode High-electron-mobility transistor (HEMT) Surface pinning effect;
机译:通过对通孔长度的调制,突破了常关GaN HEMT的多台面沟道宽度限制
机译:带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
机译:掺有铁调制和无意掺杂GaN缓冲的蓝宝石上生长的GaN / AlGaN / AlN / GaN HEMT的比较:材料生长和器件制造
机译:GaN HEMT,MIS-HEMT和P栅极HEMT的可靠性和失效物理学用于电源开关应用 - 由于深度效应和时间依赖性分解现象,寄生效应和降解
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:多台面AlGaN / GaN HEMT中的电流稳定性