机译:使用栅极电阻测量表征GaN HEMT中的动态自加热
机译:具有优化场板结构的高压GaN-HEMT中动态导通电阻增加和栅极电荷测量的抑制
机译:AlGaN / GaN Hemts栅极漏电流模拟:闸门边缘的效果和自加热
机译:使用低频噪声测量和光束感应电阻变化技术对AlGaN / GaN HEMT中的栅极电流进行分析和路径定位
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。