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机译:通过在短通道MOSFET上进行分立C-V测量来精确提取通道长度
Capacitance measurement; MOSFETs; p-n junctions; Simulation;
机译:通过分离C-V技术在SOI MOSFET中精确有效地提取迁移率:抑制浮体效应的影响
机译:FDSOI MOSFET中基于分立C-V测量的新参数提取方法
机译:自动提取方法论,可在65nm及以下的MOSFET技术上准确测量有效沟道长度
机译:基于SPLITE RF C-V方法的短通道FINFET方法的有效迁移性提取
机译:使用低噪声分流电容-电压测量从亚100nm MOSFET去除寄生电容的新方法。
机译:快速准确的C-V测量
机译:在不同工作条件下LDD短沟道和窄宽度MOSFET的参数提取