机译:通过分离C-V技术在SOI MOSFET中精确有效地提取迁移率:抑制浮体效应的影响
Capacitance Measurements; Charge Carrier Mobility; Floating-Body Effects; MOSFETs; Semiconductor Device Measurements; Silicon-On-Insulator (SOI) Technology;
机译:通过在短通道MOSFET上进行分立C-V测量来精确提取通道长度
机译:FDSOI MOSFET中基于分立C-V测量的新参数提取方法
机译:分离式C–V技术在MOSFET中交流信号振荡器电平对有效迁移率测量的影响
机译:具有高k /金属栅极的MoS2 MOSFET中通过分裂C-V技术表征有效迁移率
机译:独立双栅极MOSFET的直流参数提取技术。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:改善了MOSFET中有效的迁移率提取