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机译:借助激光辅助掺杂提高N面n型GaN上欧姆接触的热稳定性并降低其接触电阻
School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, Korea;
Doping; Gallium nitride; Lasers; Metals; Ohmic contacts; Silicon; Thermal stability; Doping; GaN; N-face; laser; ohmic contacts;
机译:通过$ hbox {O} _ {2} $等离子处理在N面n型GaN上的低电阻非合金Ti / Al欧姆接触
机译:电感耦合等离子刻蚀n面n-GaN的表面和电学性质以及降低等离子损坏n面n-GaN的欧姆接触电阻的方法
机译:通过使用Ti(Ga)固溶体和TiN层,与用于垂直发光二极管的N面n-GaN的低电阻且热稳定的基于Ti / AI的欧姆接触
机译:与n型N面GaN的改进型欧姆接触,用于极低电压操作的垂直发光二极管
机译:肖特基接触N型氮化铝镓的环境和热稳定性。
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:在高温应用中,在与n型SiC的镍基欧姆接触中观察到改善的热稳定性