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机译:GaN HEMT结构允许自端接,无等离子体蚀刻,适用于高均匀性,高迁移率增强模式器件
AlGaN/GaN; Enhancement-Mode; Gate Recess; Self-Terminated; enhancement-mode; gate recess; self-terminated;
机译:通过高容限自终止蚀刻工艺实现p-GaN栅极增强模式HEMT
机译:使用选择性蚀刻进行增强模式操作的AlN / Ultrathin AlGaN / GaN HEMT结构
机译:采用自端接数字蚀刻技术的高均匀性常关p-GaN栅极HEMT
机译:具有增强型GaN HEMT的界面态密度低且均匀度高的自终止栅极凹槽
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:抑制增强型P-GaN HEMTS对200毫米GAN-ON-SOI进行单片集成的电阻效应