机译:栅极驱动器的单片集成和P-GaN功率HEMT为MHz开关,通过E模式GAN-On-SOI过程实现
机译:通过高容限自终止蚀刻工艺实现p-GaN栅极增强模式HEMT
机译:200mm GaN-on-SOI的缓冲器垂直泄漏机理和可靠性
机译:热稳定增强模式的单片集成和耗尽模式Inalas / InGaAs / InP Hemts利用IR-Gate和Ag-ohmic接触技术
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:200毫米增强型P-GaN Hemts在200毫米GAN-ON-SOI上制造,具有用于单片集成的沟槽隔离