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章从福;
电子迁移率; 功率晶体管; GaN; 漏极; 功率密度; 氮化镓; 市场细分;
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机译:可扩展的高 $ {Q} $ tex-math> inline-formula> AlGaN / GaN高电子迁移率的大信号建模变容二极管
机译:高极化低于10nm的势垒厚度InAIGaN / GaN异质结构中的高电子迁移率
机译:高漏极电压下AlGaN / GaN高电子迁移率功率晶体管自热的热反射CCD成像
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:氮化镓(GaN)制成的高电子迁移率(HEMT)功率晶体管的新概念
机译:高载流子迁移率InGaas化合物半导体和GaN的高电介质 - 生长,界面结构研究和表面费米能级解旋
机译:高电子迁移率功率晶体管
机译:GaN高电子迁移率(HEMT)结构
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率器件
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