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机译:HRXRD研究纳米多孔硅层对SiC / POR-Si / C-Si模板对GaN层外延生长质量的影响
机译:纳米多孔硅层对SiC / POR-Si / C-Si模板GaN层外延生长的实际实施和特定特征的影响
机译:纳米多孔SiNx层间生长位置对高质量GaN外延膜的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积在4H-SiC衬底上无缓冲层的高质量外延GaN膜生长
机译:磁控溅射在ZnO缓冲层上生长的外延GaN薄膜的HRXRD研究
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:调整用于外延生长的高质量种子的多孔硅层的应变和表面粗糙度
机译:HRXRD研究纳米多孔硅层对SiC / POR-Si / C-Si模板对GaN层外延生长质量的影响
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻