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机译:〜3纳米的ZnO Nanoislands沉积和在电荷陷获存储器的应用的单ALD生长的步
机译:在单个ALD步骤中生长的薄膜ZnO电荷陷阱存储单元
机译:使用ALD生长的高K ZrO_2作为电荷俘获层的TANOS电荷俘获闪存单元的堆叠工程
机译:具有高k阻挡氧化物的Ge2Sb2Te5电荷陷阱纳米岛,用于电荷陷阱存储
机译:通过原子层沉积(ALD)优化HfO2的生长过程,用于高性能电荷陷阱闪存应用
机译:用于新型存储器应用的原子层沉积(ALD)启用技术
机译:单个ALD步骤在〜3 nm ZnO纳米岛上的沉积及其在电荷陷阱存储中的应用
机译:〜3nm ZnO纳米岛沉积和应用于单个ALD步骤的电荷捕获记忆
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。