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机译:在单个ALD步骤中生长的薄膜ZnO电荷陷阱存储单元
Department of Electrical and Electronics Engineering and UNAM-Institute of Materials Science and Nanotechnology, Bilkent University, Ankara, Turkey;
Atomic layer deposition (ALD); Flash memory; ZnO; thin-film transistor (TFT);
机译:〜3纳米的ZnO Nanoislands沉积和在电荷陷获存储器的应用的单ALD生长的步
机译:柔性衬底上生长的高性能ALD铝掺杂ZnO薄膜晶体管
机译:使用ALD生长的ZnO纳米粒子和顶部栅极In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的读出元件分别设计的传感元件,改善了气体传感器对氨气的传感响应。
机译:使用ALD生长2NM厚的ZnO纳米尼岛A-Si薄膜太阳能电池〜12%的效率改善
机译:SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
机译:单个ALD步骤在〜3 nm ZnO纳米岛上的沉积及其在电荷陷阱存储中的应用
机译:在单个ALD步骤中生长的薄膜ZnO电荷俘获存储单元