机译:DMG-S-SOI MOSFET中界面俘获电荷的影响:透视研究-IOPscience
dual material gate (DMG)strained Siinterface trapped chargesilicon on;
机译:分离氧化物俘获电荷和界面俘获电荷对辐照功率MOSFET中迁移率的影响
机译:带有界面陷阱电荷的双栅和全栅栅MOSFET的退化模型,包括沟道移动载流子的影响
机译:一种新的电荷泵技术,用于分析MOSFET中的界面态和氧化物陷阱电荷
机译:适用于圆柱形环绕栅(CSRG)MOSFET的新的界面陷阱电荷降低的亚阈值电流模型
机译:光学二次谐波的研究涉及电荷转移和俘获以及对半导体界面上这些现象的化学控制。
机译:纳米光致电荷转移与个人量子点:通过综合接口设计和可调性与电荷陷阱的相互作用
机译:使用新型电荷泵技术全面研究MOSFET中热载流子诱导的界面和氧化物陷阱的分布
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术