机译:具有源极/漏极耗尽效应的短沟道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值电流的紧凑模型
机译:适用于四栅极MOSFET的新的界面陷阱电荷降低的亚阈值电流模型
机译:纳米级短通道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:用于圆柱形,周围栅极(CSRG)MOSFET的新型接口截图充电降级亚阈值电流模型
机译:结合了硅锗异质结的垂直环绕栅MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术