机译:超结LDMOS晶体管-实现超结LDMOS晶体管以克服衬底耗尽效应
electric breakdown; elemental semiconductors; power MOSFET; semiconductor junctions; silicon; substrates; breakdown voltage; double diffused MOS LDMOS transistors; power semiconductor devices; substrate depletion effects; substrate effect suppression; super junctio;
机译:基于多晶硅薄膜晶体管的新型超结LDMOS
机译:关于超结厚SOI功率LDMOS晶体管在RF基站应用中的可行性
机译:通过多环辅助耗尽衬底突破硅极限的新型超结LDMOS
机译:薄膜SOI上改进的超结LDMOS晶体管可抑制衬底辅助的耗尽效应
机译:用于智能电源IC的超级结LDMOST。
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