SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应

摘要

SJ-LDMOST是半导体功率集成技术的核心器件之一,但其击穿电压和比导通电阻之间的优化决定于衬底辅助耗尽效应的消除。这里在分析衬底辅助耗尽效应机理的基础上,将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出通过引入新构造提高漏极纵向击穿电压以彻底消除衬底辅助耗尽效应的途径。