首页> 外文OA文献 >ESD Improvements on Power N-Channel LDMOS Devices by the Composite Structure of Super Junctions Integrated With SCRs in the Drain Side

【2h】

ESD Improvements on Power N-Channel LDMOS Devices by the Composite Structure of Super Junctions Integrated With SCRs in the Drain Side

机译：通过与排水侧的SCR集成的超交叉口的复合结构对电源N沟道LDMOS设备的ESD改进

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Hung-Wei Chen; Shen-Li Chen; Yu-Ting Huang; Hsun-Hsiang Chen;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. ESD-Reliability Enhancement of Circular UHV 300-V Power nLDMOS by the Drain-side Superjunction Structure [J] . Chen Shen-Li, Wu Pei-Lin, Lin Po-Lin IEEE Electron Device Letters . 2019,第4期

机译：漏极侧超结结构增强了圆形特高压300V电源nLDMOS的ESD可靠性
2. ESD-Reliability Enhancement of Circular UHV 300-V Power nLDMOS by the Drain-side Superjunction Structure [J] . Chen Shen-Li, Wu Pei-Lin, Lin Po-Lin IEEE Electron Device Letters . 2019,第4期

机译：漏极侧超结结构循环UHV 300-V电源NLDMOS的ESD可靠性
3. ESD protection design and enhancement in the power 60-V n-channel LDMOS by embedded-SCR anode islands [J] . S.-L. Chen, K.-J. Chen, H.-W. Chen Electronics Letters . 2016,第19期

机译：嵌入式SCR阳极岛在电源60V n沟道LDMOS中的ESD保护设计和增强
4. Drain Side Super Junctions Co-worked with "npn" Arranged SCRs on ESD Robustness in the 45-V nLDMOS Devices [C] . Shen-Li Chen, Yu-Ting Huang IEEE Region 10 Conference . 2015

机译：通过45V NLDMOS设备中的ESD鲁棒性协同使用“NPN”SECS的排水侧超级连接器
5. Super junction LDMOSTs for smart power ICs. [D] . Nassif-Khalil, Sameh G. 2004

机译：用于智能电源IC的超级结LDMOST。
6. Sensing and Reliability Improvement of Electrostatic-Discharge Transient by Discrete Engineering for High-Voltage 60-V n-Channel Lateral-Diffused MOSFETs with Embedded Silicon-Controlled Rectifiers [O] . Shen-Li Chen, Yi-Cih Wu 2018

机译：分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
7. ESD Design and Analysis by Drain Electrode-Embedded Horizontal Schottky Elements for HV nLDMOSs [O] . Shi-Zhe Hong, Shen-Li Chen 2021

机译：用于HV NLDMOSS的漏极电极嵌入式水平肖特基元素的ESD设计和分析

ESD Improvements on Power N-Channel LDMOS Devices by the Composite Structure of Super Junctions Integrated With SCRs in the Drain Side

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅