机译:Si(111)上的高片电荷载流子密度AlInN / GaN场效应晶体管
Univ Magdeburg, Inst Expt Phys, Fak Nat Wissensch, D-39106 Magdeburg, Germany;
VAPOR-PHASE EPITAXY; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; ELECTRON-MOBILITY; OPTICAL-PROPERTIES; GAN; GROWTH; TERNARY; ALN; DEPOSITION;
机译:Si(111)上偏振控制的AlInN / AlN / GaN / InGaN场效应晶体管中增强的片载流子密度
机译:Si上的增强型金属绝缘体半导体GaN / AlInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+3.0 V,阻断电压为1000 V以上
机译:蓝宝石衬底上的大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:AlInN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:基于AlInN / GaN异质结构晶体管的高灵敏度pH传感器
机译:si(111)上的偏振控制alInN / alN / GaN / InGaN场效应晶体管的增强片载流子密度
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管