机译:量子阱厚度不同的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的效率下降行为
机译:结构参数修改后的两个InGaN / GaN多量子阱绿色发光二极管的效率下降行为差异
机译:在独立式GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降
机译:InGaN / GaN多量子阱绿色发光二极管中的Shockley-Read-Hall重组和效率下降
机译:梯度厚度多量子阱可降低InGaN / GaN发光二极管的效率下降
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:V缺陷对势垒层厚度变化的InGaN_GaN多量子阱发光二极管性能下降的影响