首页> 中文期刊>物理学报 >In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).

著录项

来源
《物理学报》|2010年第7期|4996-5001|共6页
作者
朱丽虹; 蔡加法; 李晓莹; 邓彪; 刘宝林;
展开▼
作者单位

厦门大学物理系,厦门,361005;

厦门大学物理系,厦门,361005;

厦门大学物理系,厦门,361005;

厦门大学物理系,厦门,361005;

厦门大学物理系,厦门,361005;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
金属有机物化学气相沉积; InGaN/GaN多量子阱; 发光二极管; 内量子效率;
入库时间 2024-01-27 09:34:45

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能 [J] . 赵玲慧 ,张连 ,王晓东 . 光子学报 . 2013,第10期
2. 图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究 [J] . 颜建 ,钟灿涛 ,于彤军 . 光谱学与光谱分析 . 2012,第001期
3. InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究 [J] . 曹瑞华 ,殷垚 ,陈鹏 . 固体电子学研究与进展 . 2011,第1期
4. 双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性 [J] . 陈献文 ,吴乾 ,李述体 . 光子学报 . 2011,第2期
5. InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响∗ [J] . 齐维靖 ,张萌 ,潘拴 . 物理学报 . 2016,第007期
6. 采用AlGaN/GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管 [C] . . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性 [A] . 李洪斌 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号