一种高In组分的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池

摘要

本发明提供了一种高In组分的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底；衬底上依次设有GaN成核层、GaN本征层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上表面一侧具有一台面，台面上设有n型电极，n型掺杂GaN层的上表面依次层叠设有非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、p型掺杂GaN层、p型高掺杂GaN层和多个p型电极，相邻p型电极通过透明电极层连接；非掺杂InGaN/GaN多量子阱层由InxGa1‑xN/GaN多层结构组成，其中0.1≤x≤0.2，InxGa1‑xN阱层在745～785℃沉积得到。本发明通过优化InGaN阱层的生长温度，获得在高In含量下仍具有较低位错密度、高生长质量的外延片以及相应的高开路电压的太阳能电池。