机译:V缺陷对势垒层厚度变化的InGaN / GaN多量子阱发光二极管性能下降的影响
机译:量子阱厚度不同的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的效率下降行为
机译:GaInN / GaN发光二极管多量子阱有源区中量子势垒厚度的影响
机译:多量子势垒对InGaN / GaN多量子阱发光二极管性能的影响
机译:一种用于有机发光二极管的新型混合无机-有机单层势垒。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:在纳米孔GaN层上生长的IngaN / GaN多量子孔发光二极管的增强性能