机译:As_2 / As_4生长方式对在InAIGaAs / InP上生长的量子点状InAs岛形成的影响(100)
Technische Physik, Institute of Nanostructure Technologies and Analytics, University of Kassel, Kassel,Hessen 34132, Germany;
National Institute for Research and Development in Microtechnologies, 077190 Bucharest, Romania;
Technische Physik, Institute of Nanostructure Technologies and Analytics, University of Kassel, Kassel,Hessen 34132, Germany;
机译:使用As_2和As_4通过固体源分子束癫痫生长的InAs_yP_1-y / InP量子阱
机译:砷物种(As_2 / As_4)对InP衬底上阶梯式InAs_xP_(1-x)弛豫和形态的影响
机译:As_2和As_4源生长的外延InGaAs量子棒的光反射和光致发光研究
机译:用AS_2和AS_4源生长外延Ingaas量子棒的比较光学研究
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:InP衬底上生长的无缺陷100层应变平衡InAs量子点结构
机译:在Gaas(100)错位表面上由smEE生长的1.8 mL Inas量子点的光致发光。