自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究

摘要

报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果.在完成InAs岛生长以后,引入不同时间的停顿,然后再淀积GaAs盖层,将导致InAs岛光致发光峰蓝移,发光谱线变宽,同时发光强度减弱.透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错,在其附近应变得到部分弛豫,成为InAs材料的俘获陷阱.随着停顿时间加长,InAs岛密度降低,尺寸变小,光致发光谱发生相应变化.