机译:基于CuInS_2量子点-聚甲基丙烯酸甲酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和存储机制
Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea;
Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea;
Department of Molecular Science and Technology, Ajou University, Suwon 443-749, South Korea;
Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea;
机译:基于CuInS
机译:基于胶体ZnO量子点-聚甲基丙烯酸甲酯聚合物纳米复合材料的有机双稳态器件的电双稳态和记忆机理
机译:基于纳米复合物的非易失性存储器件的多级充电和放电机制,纳米复合物由嵌入聚苯乙烯层中的单层金纳米颗粒组成
机译:基于并五苯半导体和聚(甲基丙烯酸甲酯)/石墨烯量子点复合陷阱层的非易失性有机晶体管存储器件
机译:硒化锌镉包覆的量子点电致发光和非易失性存储器件。
机译:受控双极性电荷陷阱机制的非易失性多级数据存储存储设备
机译:基于Cuins2量子点 - 聚甲基丙烯酸酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和内存机制
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。