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具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件

摘要

一种非易失性半导体存储器件,包括:系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元,连接在第一和第二选择晶体管之间;第一和第二伪单元,分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间;其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通,而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通;以及驱动器块,包括普通字线驱动器和伪字线驱动器,伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。

著录项

  • 公开/公告号CN101751994B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200910222874.0

  • 发明设计人 姜东求;边大锡;林瀛湖;

    申请日2006-01-20

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邵亚丽

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-11

    授权

    授权

  • 2010-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/56 申请日:20060120

    实质审查的生效

  • 2010-06-23

    公开

    公开

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