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张溪文; 韩高荣;
浙江大学硅材料科学国家重点实验室;
纳米硅薄膜; 暗电导率; 化学气相沉积; 制备; 电学性能; 晶态率;
机译:沉积压力对通过热线化学气相沉积法生长的B掺杂氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的微结构和光电性能的影响
机译:微波等离子体化学气相沉积法制备掺氮纳米晶金刚石薄膜的化学种类和电学性能研究
机译:通过特殊设计的热辅助化学气相沉积法生长的大面积纳米晶硅薄膜的微观结构和电导率
机译:通过超高频等离子体化学气相沉积制备的纳米晶硅太阳能电池纳米晶硅本征层的电学和结构性质
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响
机译:Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译:化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法,以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
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