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第1章绪论
§1.1 多孔硅基薄膜的研究进展
§1.1.1研究硅基薄膜的重要意义
§1.1.2硅基发光材料的研究发展
§1.1.3多孔硅的发光性能及发光机理
§1.2 等离子体化学气相沉积
§1.2.1等离子体概述
§1.2.2等离子体化学气相沉积技术
§1.2.3常压等离子体化学气相沉积及其机制
§1.3 本文的研究内容与创新点
§1.3.1本文的结构
§1.3.2本文的创新点
参考文献
第2章实验设计
§2.1 常压等离子体化学气相沉积薄膜实验
§2.1.1实验装置与特点
§2.1.2制样方法与过程
§2.1.3常压介质阻挡放电参量的测定
§2.1.4等离子体发射光谱的诊断研究及电子温度的测定
§2.2 纳米硅基薄膜的表征
§2.2.1表面物理形态
§2.2.2膜的缺陷分析
§2.2.3薄膜的化学组成
§2.2.4膜的化学结构
§2.2.5膜的化学成分
§2.3 多孔硅基薄膜的发光特性的研究
第3章常压等离子化学气相沉积放电过程的研究
§3.1 介质阻挡放电的特征
§3.1.1丝状放电
§3.1.2大气压辉光放电
§3.2 介质阻挡放电的物理过程
§3.3 介质表面电荷对后续放电的影响
§3.4 介质阻挡放电特性分析
§3.5 介质阻挡放电特性分析
§3.5.1介质阻挡放电功率
§3.5.2李萨如图形测量原理
§3.5.3李萨如图形测量结果及讨论
§3.6 介质阻挡放电发射光谱诊断研究
§3.6.1介质阻挡放电等离子体光谱诊断装置简述
§3.6.2等离子体发射光谱测量结果及分析
§3.7 本章小结
参考文献
第4章PECVD制备纳米多孔硅基薄膜的表征
§4.1 纳米硅基薄膜的表面形貌
§4.1.1薄膜沉积过程和表面形貌
§4.1.2硅烷流量对薄膜沉积的影响
§4.1.3衬底偏压对薄膜的表面形貌的影响
§4.2 正电子湮没技术对多孔硅基薄膜的研究
§4.2.1正电子湮没技术和慢正电子束流实验
§4.2.2偏压对薄膜的点缺陷类型的影响
§4.2.3慢速正电子湮灭S参数的分析
§4.3 薄膜的化学组成和化学结构分析
§4.3.1薄膜的化学组成
§4.3.2傅里叶红外吸收谱的化学结构分析
§4.3.3薄膜的X射线光电子能谱分析
§4.4 本章小结
参考文献
第5章纳米多孔硅基薄膜的微结构及其发光特性的研究
§5.1 纳米多孔硅基薄膜的光致发光特性
§5.1.1电化学方法制备的多孔硅的发光和吸收
§5.1.2纳米多孔硅基薄膜的蓝光区光致发光
§5.1.3光致发光谱的拟合
§5.2 光致发光强度影响因素的讨论
§5.2.1偏压对发光强度的影响
§5.2.2光致荧光的时效性
§5.3 荧光的产生机理分析和探讨
§5.4 本章小结
参考文献
第6章结论
攻读学位期间论文发表情况
致谢