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张浩; 董洁文; 吕孝鹏; 王鑫; 许元鲜; 邵雪峰; 王珊珊; 邓雅丽; 陈康烨;
苏州科技学院数理学院,江苏苏州215011;
石墨烯; 化学气相沉积法; 金相显微镜; 电学性质;
机译:微波等离子体化学气相沉积法制备掺氮纳米晶金刚石薄膜的化学种类和电学性能研究
机译:等离子增强化学气相沉积法制备MgO薄膜及其电学性能
机译:等离子体增强化学气相沉积法制备的掺氮和氟的SIOC:H薄膜的结合构型和电学性能。
机译:沉积温度对快速热化学气相沉积法制备的CMOS栅电极非晶和多晶硅晶粒结构和电学性能的影响
机译:通过化学气相沉积法在透明基板上低温直接生长石墨烯薄膜。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:反应分子束共蒸发法研究Bi基高温超导氧化物薄膜的制备及电学性能
机译:铜箔上化学气相沉积法制备合成石墨烯。
机译:铜薄膜/镍箔薄膜层压板化学气相沉积法制取厚度的石墨烯合成方法
机译:制备石墨烯薄膜,石墨烯薄膜和包含石墨烯薄膜的透明导电薄膜的方法
机译:金属有机化学气相沉积法制备CuInS 2 Sub>薄膜的方法,用该方法制备的CuInS 2 Sub>薄膜及其In 2 Sub> S的制备方法 3 Sub>薄膜
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