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钟战天; 吴冰清; 曹作萍; 朱文珍; 张广泽; 王佑祥; 陈新; 张立宝; 朱勤生; 邢益荣;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院表面物理实验室;
分子束外延; δ掺杂; 砷化镓;
机译:分子束外延生长梯度掺杂GaAs / GaAlAs外延层中载流子浓度的退火研究
机译:金属有机气相外延和分子束外延生长的未掺杂GaAs在外加磁场中自由结合受体光致发光的研究
机译:(001)GaAs衬底上分子束外延生长重掺杂Sn的GaAs_(1-x)Sb_x外延层的光学表征
机译:通过分子束外延在(411)上生长的假形调制促进的N-AlgaAs / InGaAs / GaAs量子孔中的电学特性通过分子束外延产生GaAs基材
机译:分子束外延生长外延汞碲化镉薄膜中砷的掺入和P型掺杂的研究。
机译:GaAs 111 B上Si掺杂InAs纳米线分子束外延生长过程中的合金形成
机译:GaAs / GaAs(111)B的分子束外延生长:掺杂和生长温度研究
机译:分子束外延生长的si掺杂n-Gaas中等电子In或sb掺杂对陷阱的抑制
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
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