GaN HEMT射频等效电路建模研究

摘要

为了研究GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的射频特性,研究了GaN HEMT电路模型建模方法。综合分析了GaN HEMT器件的物理结构、非线性电容、陷阱效应、自热效应及噪声等特性,提出了一种GaN HEMT射频大信号等效电路模型拓扑。完成了直流及散射参数的拟合,建立Ids方程,通过仿真工具软件ADS2016的仿真结果与实测的10μm×90μm GaN HEMT功率器件的数据对比,验证了所建模型的有效性和准确性。