基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构

摘要

本发明公开了基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构，包括晶体管GH；GH的栅极G、源极S和漏极D分别连接电感L1、L3和L2的一端；L1的另一端分别连接电容C1、电阻R1和电容C2的一端；电阻R1另一端分别接电容C3的一端和电容C4的一端；C3另一端与电阻R2的一端相接；电容C4另一端与电阻R3的一端相接；电阻R3另一端分别与电流源Ids的一端、电容C5、电阻R5和电阻R4的一端相接；电阻R2另一端分别接电阻RS的一端、电流源Ids另一端、C5另一端和R5另一端。本发明采用了新型电阻RS的参数Rs模型，可以解决电阻RS的参数Rs漏源电流及温度变化而变化的问题。