圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用

摘要

针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合.采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度.经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10-9 Pa·m3/s,键合强度大于3 MPa.对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0.5％FS.