完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法

摘要

本发明完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法涉及一种微芯片制造方法，利用金属层下面的复合介质膜将残余的金属带走进而完全去除，保证键合面的硅层不存留金属杂质，同时键合面的硅层质量不被破坏。在含化学稳定性金属的多层金属电极制作中，在保证静电键合面质量的同时，制作出理想的多层耐高温金属电极并对压力敏感电阻进行了保护，提高了圆片级SOI材料正面静电键合的键合质量和键合强度。采用本方法工艺制作的正面键合芯片平均键合强度与采用传统工艺制作的正面键合芯片平均键合强度相比可提高3倍以上，无引线封接产品泄漏不良品率明显减少。