掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

李健; 李海兰; 田野; 宋淑芳

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掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

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用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜,然后在高于450*#℃条件下进行氧化、热处理(玻璃衬底)获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜.对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800℃温度条件下进行液态源掺杂,获得掺B和P纳米ZnO薄膜.实验表明,掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善,有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻,同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善.

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来源
《传感器与微系统》 |2002年第3期|61-64|共4页
作者
李健; 李海兰; 田野; 宋淑芳;
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作者单位

内蒙古大学,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021;

内蒙古大学,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021;

内蒙古大学,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021;

中国科学院,半导体研究所,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类 TP212;
关键词
纳米ZnO薄膜; 气敏特性; 掺杂; 热处理;

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