CdSyTe1-y多晶薄膜的制备及光谱表征

摘要

采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y(0≤y≤1)多晶薄膜,并用X射线衍射谱(XRD)、能量色散谱(EDS)研究了CdSyTe1-y,多晶薄膜的结构、组分.实验结果表明:石英振荡法监控的组分与EDS谱结果较为一致;当y<0.3时,CdSyTe1-y,多晶薄膜为立方结构,当y≥0.3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为六方结构.采用XRD线形分析法可计算出CdSyTe1-y多晶薄膜晶粒大小约20～50 nm.最后,用紫外-可见-近红外谱(UV-Vis-NIR),测得300～2500 nmCdSyTe1-y多晶薄膜的透过率曲线,并结合一阶Sellmeier模型的折射率色散关系,表征了CdSyTe1-y多晶薄膜的光学性质,获得了CdS0.22Te0.78多晶薄膜的光学厚度d～535 nm,光能隙Eg～1.41 eV,以及吸收系数a(λ)、折射率n(λ)等光学量.结果也表明,采用真空共蒸发法可以制备需要组分的CdSyTe1-y多晶薄膜,对CdSyTe1-y多晶薄膜光学性质的表征方法可推广到其他的半导体薄膜材料.