金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池

摘要

采用金属氧化物多层膜作为新型晶体硅太阳电池发射极,并成功制备出多层膜背接触(MLBC)太阳电池,对其器件性能进行详细分析发现,金属氧化物多层膜具有高载流子浓度、低界面复合速率、低方阻,以及优异的光学性能.最终所制备的MLBC太阳电池光电转换效率达17.16%,开路电压可达631 mV,相比于V2Ox/n-Si太阳电池,器件效率提高了1.36%.测试结果表明,V2Ox/Ag/V2Ox作为晶体硅太阳电池发射极,具有低界面复合速率和接触电阻率,具有成为高效率太阳电池的潜力.