首页> 中国专利> 一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池及其制备方法

一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池及其制备方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的前表面和背表面设有钝化层，背表面钝化层上设有发射极、发射极金属电极和基区金属电极，发射极由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜组成；其中第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为WO

1. 一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105789342B . 2018.01.23
2. 背区域接触晶体硅太阳电池局域接触背电场的制备方法 [P] . 中国专利： CN102437249A . 2012-05-02
3. A method for producing fine metal particles, metal oxide particles, metal particles, metal oxide particles, as well as metal-containing paste and the metal film, metal oxide film [P] . 日本专利： JP5525301B2 . 2014-06-18

机译：一种金属细颗粒，金属氧化物颗粒，金属颗粒，金属氧化物颗粒以及含金属的糊剂和金属膜，金属氧化物膜的生产方法
4. METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE NANOCRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE NANOCRYSTAL ARRAY FILM, SUBSTRATE COVERED WITH METAL OXIDE NANOCRYSTAL ARRAY FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [P] . 日本专利： JP2011140426A . 2011-07-21

机译：制备金属氧化物纳米晶的方法，制备金属氧化物纳米晶膜的方法，覆盖有金属氧化物纳米晶膜的基质及其制备方法
5. ELECTROLYTE SOLUTION, METHOD FOR FORMING OXIDE COATING FILM USING SAME, MULTILAYER BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METAL OXIDE FILM [P] . 韩国专利： KR20070060111A . 2007-06-12

机译：电解质溶液，使用相同溶液形成氧化膜的方法，多层体及其制备方法以及金属氧化物膜